Multiple patterning

Multiple patterning (en anglès estampació múltiple) és un tipus de tecnologia per a fabricar circuits integrats (IC), desenvolupada mitjançant la tècnica de fotolitografia i amb la finalitat d'augmentar la densitat de les estructures internes dels circuits integrats. Per exemple, si es realitza una estampació doble (vegeu Fig.1) a partir d'una densitat d'estructures inicials (a) s'aconsegueixen estructures de densitat doble (f).^[1][2][3]

Tècniques més importants

Pitch splitting

En anglès, divisió de la trama, és de les primeres tècniques i consisteix a dividir l'estamtació inicial en diferents parts i llavors es van aplicant les diferents màscares mitjançant exposició fotoLitogràtica (Expose) i gravació (Etch). També es pot anomenar LE-LE en cas de doble exposició. Si l'exposició és triple s'abreuja LELELE o 193i (vegeu Fig.2)

Sidewall Image Transfer

En anglès, transferència d'imatge en les partes laterals, es pot observar el procés en la Fig.1. La doble estampació s'aconsegueix fent créixer l'estructura en les parets de l'estructura inicial. També s'anomena SADP (acrònim de Self Aligned Double Patterning). En el cas que tornem a aplicar el procés llavors s'obtindran estructures quàdruples i s'anomenen SAQP (Self-Aligned Quadruple Patterning).

Aplicacions reals

Vegeu també

• Tècnica de fotolitografia.
• Oblia de silici: material base
• Dau (circuit integrat)
• Tecnologies de 14 nanòmetres, 10 nanòmetres, 7 nanòmetres, 5 nanòmetres

Referències